分离式半导体产品 BSC320N20NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSC320N20NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSC320N20NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 10,221 1:$3.54000
10:$3.18400
25:$2.88920
100:$2.59450
250:$2.35860
500:$2.06378
1,000:$1.76895
2,500:$1.68050
BSB044N08NN3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 9,480 1:$3.43000
10:$3.08400
25:$2.79880
100:$2.51310
250:$2.28460
500:$1.99902
1,000:$1.71345
2,500:$1.62778
BSB044N08NN3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 5,000 5,000:$1.45643
10,000:$1.41645
25,000:$1.37076
BSC320N20NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 36A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫欧 @ 36A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 100V
功率 - 最大: 125W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包装: Digi-Reel®