分离式半导体产品 IPB038N12N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB038N12N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB038N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 1,000 1,000:$3.07104
2,000:$2.91749
5,000:$2.79684
10,000:$2.72006
25,000:$2.63232
BSC011N03LSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 4,974 1:$3.07000
10:$2.63100
25:$2.36800
100:$2.14890
250:$1.92964
500:$1.66650
1,000:$1.40336
2,500:$1.27180
BSC011N03LSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 4,974 1:$3.07000
10:$2.63100
25:$2.36800
100:$2.14890
250:$1.92964
500:$1.66650
1,000:$1.40336
2,500:$1.27180
BSC011N03LSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 0 5,000:$1.14023
10,000:$1.09638
25,000:$1.07445
50,000:$1.05252
IPB038N12N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.8 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 270µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 211nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 13800pF @ 60V
功率 - 最大: 300W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-2
包装: 带卷 (TR)