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分离式半导体产品 BSB028N06NN3 G品牌、价格、PDF参数

BSB028N06NN3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSB028N06NN3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 9,875 1:$3.37000
10:$2.88700
25:$2.59840
100:$2.35790
250:$2.11728
500:$1.82856
1,000:$1.53984
2,500:$1.39548
BSB028N06NN3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 5,000 5,000:$1.25112
10,000:$1.20300
25,000:$1.17894
50,000:$1.15488
BSB028N06NN3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 90A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.8 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 102µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 143nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 12000pF @ 30V
功率 - 最大: 78W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-WDSON
供应商设备封装: MG-WDSON-2，CanPAK M?
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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