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分离式半导体产品 IPP320N20N3 G品牌、价格、PDF参数

IPP320N20N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPP320N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 166 1:$3.11000
10:$2.77800
25:$2.50040
100:$2.27820
250:$2.05592
500:$1.84476
1,000:$1.55582
2,500:$1.47803
5,000:$1.41691
IPB038N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3 1,695 1:$6.58000
10:$5.92300
25:$5.37440
100:$4.82590
250:$4.38720
500:$3.83880
IPP320N20N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 34A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫欧 @ 34A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 100V
功率 - 最大: 136W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: PG-TO220-3
包装: 管件
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