分离式半导体产品 IPB038N12N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB038N12N3 G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPB038N12N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3	1,695	1:$6.58000 10:$5.92300 25:$5.37440 100:$4.82590 250:$4.38720 500:$3.83880

IPB038N12N3 G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	3.8 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	4V @ 270µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	211nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	13800pF @ 60V
功率 - 最大:	300W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装:	PG-TO263-2
包装:	剪切带 (CT)

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