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分离式半导体产品 SQJ412EP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SQJ412EP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SQJ412EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC 2,750 1:$2.59000
25:$1.99800
100:$1.81300
250:$1.62800
500:$1.40600
1,000:$1.18400
SQJ412EP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 32A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.5 毫欧 @ 10.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5950pF @ 20V
功率 - 最大: 83W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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