型号
分离式半导体产品 IPB031NE7N3 G品牌、价格、PDF参数
IPB031NE7N3 G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPB031NE7N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
1,987
1:$3.45000
10:$3.10500
25:$2.81720
100:$2.52980
250:$2.29980
500:$2.01232
IPB031NE7N3 G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
3.1 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
3.8V @ 155µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
117nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
8130pF @ 37.5V
功率 - 最大:
214W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:
PG-TO263-2
包装:
剪切带 (CT)
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