型号
分离式半导体产品 SQJ412EP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SQJ412EP-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SQJ412EP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
0
3,000:$0.99900
6,000:$0.96200
15,000:$0.92500
30,000:$0.90650
75,000:$0.88800
IRF9540STRLPBF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
781
1:$2.47000
25:$1.90880
100:$1.73220
250:$1.55540
SQJ412EP-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
4.5 毫欧 @ 10.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
5950pF @ 20V
功率 - 最大:
83W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
包装:
带卷 (TR)
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