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分离式半导体产品 BSC360N15NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSC360N15NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSC360N15NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON 0 5,000:$0.84851
10,000:$0.81588
25,000:$0.79956
50,000:$0.78324
IPB031NE7N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 1,987 1:$3.45000
10:$3.10500
25:$2.81720
100:$2.52980
250:$2.29980
500:$2.01232
BSC360N15NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 33A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 36 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 45µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 75V
功率 - 最大: 74W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TDSON-8
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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