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分离式半导体产品 SI3475DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI3475DV-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI3475DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 200V 6-TSOP 5,347 1:$1.03000
25:$0.81000
100:$0.72900
250:$0.63452
500:$0.56700
1,000:$0.44550
SI3475DV-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 950mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.61 欧姆 @ 900mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 500pF @ 50V
功率 - 最大: 3.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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