分离式半导体产品 SI3477DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI3477DV-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI3477DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP 3,837 1:$0.84000
25:$0.64600
100:$0.57000
250:$0.49400
500:$0.41800
1,000:$0.33250
SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V SC-70-6 5,927 1:$0.79000
25:$0.61200
100:$0.54000
250:$0.46800
500:$0.39600
1,000:$0.31500
SI1499DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V SC-70-6 6,000 3,000:$0.24650
6,000:$0.22950
15,000:$0.22100
30,000:$0.21250
75,000:$0.20910
150,000:$0.20400
SI3477DV-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17.5 毫欧 @ 9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 6V
功率 - 最大: 4.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 剪切带 (CT)