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分离式半导体产品 SIA433EDJ-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIA433EDJ-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V SC-70-6 5,927 1:$0.79000
25:$0.61200
100:$0.54000
250:$0.46800
500:$0.39600
1,000:$0.31500
SI1499DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V SC-70-6 6,000 3,000:$0.24650
6,000:$0.22950
15,000:$0.22100
30,000:$0.21250
75,000:$0.20910
150,000:$0.20400
SIA433EDJ-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫欧 @ 7.6A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 75nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 19W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SC-70-6
供应商设备封装: PowerPAK? SC-70-6 单
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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