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分离式半导体产品 SI3805DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI3805DV-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI3805DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP 695 1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SI4620DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 350 1:$0.74000
25:$0.57120
100:$0.50400
250:$0.43680
500:$0.36960
1,000:$0.29400
SI3805DV-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 84 毫欧 @ 3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 330pF @ 10V
功率 - 最大: 1.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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