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分离式半导体产品 IPI200N25N3 G品牌、价格、PDF参数

IPI200N25N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPI200N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3 381 1:$8.46000
10:$7.61700
25:$6.94040
100:$6.26320
250:$5.75536
500:$5.24752
1,000:$4.57043
2,500:$4.40115
5,000:$4.23188
IPP200N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 338 1:$8.46000
10:$7.61700
25:$6.94040
100:$6.26320
250:$5.75536
500:$5.24752
1,000:$4.57043
2,500:$4.40115
5,000:$4.23188
IPI200N25N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 64A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 64A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 270µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7100pF @ 100V
功率 - 最大: 300W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装: PG-TO262-3
包装: 管件
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