型号
分离式半导体产品 IPP110N20N3 G品牌、价格、PDF参数
IPP110N20N3 G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
2,282
1:$8.06000
10:$7.25400
25:$6.60960
100:$5.96460
250:$5.48096
500:$4.99736
1,000:$4.35254
2,500:$4.19133
5,000:$4.03013
IPP110N20N3 G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
88A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
11 毫欧 @ 88A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 270µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
87nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
7100pF @ 100V
功率 - 最大:
300W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
PG-TO220-3
包装:
管件
电子产品资料
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