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分离式半导体产品 IPP041N12N3 G品牌、价格、PDF参数

IPP041N12N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPP041N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 769 1:$6.94000
10:$6.20000
25:$5.58000
100:$5.08400
250:$4.58800
500:$4.11680
1,000:$3.47200
2,500:$3.29840
5,000:$3.16200
IPP041N12N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.1 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 270µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 211nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 13800pF @ 60V
功率 - 最大: 300W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: PG-TO220-3
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
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