型号
分离式半导体产品 CSD17311Q5品牌、价格、PDF参数
CSD17311Q5
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
CSD17311Q5
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
4,898
1:$2.39000
10:$2.16000
25:$1.93520
100:$1.74000
250:$1.54500
500:$1.35000
1,000:$1.11750
CSD17311Q5
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
2,500
2,500:$1.01300
5,000:$0.97500
12,500:$0.93800
25,000:$0.92300
62,500:$0.90000
CSD17311Q5
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
2 毫欧 @ 30A,8V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
1.6V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
31nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
4280pF @ 15V
功率 - 最大:
3.2W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装:
8-SON
包装:
剪切带 (CT)
电子产品资料
分离式半导体产品 CSD17311Q5品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SIR876DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SIR876DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SIR876DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SI7703EDN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SI7703EDN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SI7703EDN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SUP50N03-5M1P-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SI4396DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
分离式半导体产品 SI4396DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
电脑版(www.mmic.net.cn)
买卖IC网 版权所有©2006-2020