分离式半导体产品 SI4190DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4190DY-T1-GE3 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SI4190DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 8-SOIC	3,793	1:$2.77000 25:$2.13320 100:$1.93550 250:$1.73800 500:$1.50100 1,000:$1.26400
SUD45P03-09-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH D-S 30V DPAK	3,837	1:$1.45000 25:$1.14320 100:$1.02870 250:$0.89536 500:$0.80010 1,000:$0.62865

SI4190DY-T1-GE3 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	8.8 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	2000pF @ 50V
功率 - 最大:	7.8W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:	8-SOICN
包装:	Digi-Reel®

电子产品资料

电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网版权所有©2006-2020