分离式半导体产品 SI4100DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4100DY-T1-GE3 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SI4100DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC	0	2,500:$0.53200 5,000:$0.50540 12,500:$0.48450 25,000:$0.47120
SIHD3N50D-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK	50	1:$1.02000 25:$0.80200 100:$0.72170 250:$0.62816 500:$0.56134 1,000:$0.44105

SI4100DY-T1-GE3 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	6.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	63 毫欧 @ 4.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	600pF @ 50V
功率 - 最大:	6W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:	8-SO
包装:	带卷 (TR)

电子产品资料

电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网版权所有©2006-2020