型号
分离式半导体产品 SI3424DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI3424DV-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI3424DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
0
3,000:$0.58800
SI7425DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8
0
3,000:$0.58660
SIS438DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
0
3,000:$0.31175
6,000:$0.29025
15,000:$0.27950
30,000:$0.26875
SI3424DV-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
28 毫欧 @ 6.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
功率 - 最大:
1.14W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装:
6-TSOP
包装:
带卷 (TR)
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