型号

分离式半导体产品 IPP114N12N3 G品牌、价格、PDF参数

IPP114N12N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPP114N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3 500 1:$2.40000
10:$2.17200
25:$1.93960
100:$1.74560
250:$1.55160
500:$1.35766
1,000:$1.12491
2,500:$1.04733
5,000:$1.00854
IPP114N12N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 11.4 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4310pF @ 60V
功率 - 最大: 136W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: PG-TO220-3
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020