分离式半导体产品 SI4425BDY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4425BDY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4425BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.38640
SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC 0 2,500:$0.53200
5,000:$0.50540
12,500:$0.48450
25,000:$0.47120
SIHD3N50D-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK 50 1:$1.02000
25:$0.80200
100:$0.72170
250:$0.62816
500:$0.56134
1,000:$0.44105
SI4425BDY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫欧 @ 11.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)