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分离式半导体产品 IRF610STRRPBF品牌、价格、PDF参数

IRF610STRRPBF • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IRF610STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK 0 800:$0.88043
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 1:$2.28000
25:$1.75520
100:$1.59250
250:$1.43000
500:$1.23500
1,000:$1.04000
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 3,000:$0.87750
6,000:$0.84500
15,000:$0.81250
30,000:$0.79625
75,000:$0.78000
SI4423DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.90585
IRF610STRRPBF • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.5 欧姆 @ 2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
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