分离式半导体产品 SI8406DB-T2-E1品牌、价格、PDF参数

SI8406DB-T2-E1 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SI8406DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V D-S MICROFOOT	98	1:$0.77000 25:$0.53920 100:$0.46200 250:$0.39900 500:$0.34300 1,000:$0.26600
SI4124DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC	0	2,500:$0.90450 5,000:$0.87100 12,500:$0.83750 25,000:$0.82075 62,500:$0.80400

SI8406DB-T2-E1 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	33 毫欧 @ 1A，2.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	850mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	20nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	830pF @ 10V
功率 - 最大:	13W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	6-UFBGA
供应商设备封装:	6-Micro Foot?
包装:	Digi-Reel®

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