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分离式半导体产品 CSD25303W1015品牌、价格、PDF参数

CSD25303W1015 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
CSD25303W1015 Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 0 3,000:$0.35800
6,000:$0.33300
15,000:$0.32100
30,000:$0.30900
75,000:$0.30400
150,000:$0.29600
CSD25303W1015 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 58 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 435pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-UFBGA，DSBGA
供应商设备封装: 6-DSBGA（1x1.5）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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