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分离式半导体产品 SIR662DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIR662DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 1:$2.28000
25:$1.75520
100:$1.59250
250:$1.43000
500:$1.23500
1,000:$1.04000
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 3,000:$0.87750
6,000:$0.84500
15,000:$0.81250
30,000:$0.79625
75,000:$0.78000
SI4423DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.90585
SIR662DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.7 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4390pF @ 30V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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