分离式半导体产品 SI7384DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI7384DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI7384DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$0.86400
SI4124DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC 0 1:$2.35000
25:$1.80920
100:$1.64150
250:$1.47400
500:$1.27300
1,000:$1.07200
SQ7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 0 3,000:$0.23200
SI1404BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363 0 3,000:$0.21750
SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V D-S MICROFOOT 98 1:$0.77000
25:$0.53920
100:$0.46200
250:$0.39900
500:$0.34300
1,000:$0.26600
SI4124DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC 0 2,500:$0.90450
5,000:$0.87100
12,500:$0.83750
25,000:$0.82075
62,500:$0.80400
SI7384DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 带卷 (TR)