分离式半导体产品 SIA436DJ-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIA436DJ-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIA436DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 8V D-S SC70-6L 0 3,000:$0.23200
6,000:$0.21600
15,000:$0.20800
30,000:$0.20000
75,000:$0.19680
150,000:$0.19200
IRF614STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK 0 800:$0.88043
IRF610STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK 0 800:$0.88043
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 1:$2.28000
25:$1.75520
100:$1.59250
250:$1.43000
500:$1.23500
1,000:$1.04000
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK 0 3,000:$0.87750
6,000:$0.84500
15,000:$0.81250
30,000:$0.79625
75,000:$0.78000
SI4423DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.90585
SIA436DJ-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.4 毫欧 @ 15.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1508pF @ 4V
功率 - 最大: 19W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SC-70-6
供应商设备封装: PowerPAK? SC-70-6 单
包装: 带卷 (TR)