型号
分离式半导体产品 SI4438DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI4438DY-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI4438DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
0
2,500:$0.93690
SI6413DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
0
3,000:$0.93150
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO8 PWR PK
0
1:$2.38000
25:$1.83600
100:$1.66600
250:$1.49600
500:$1.29200
1,000:$1.08800
SI4438DY-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
36A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
2.7 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.6V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
126nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
4645pF @ 15V
功率 - 最大:
7.8W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:
8-SOICN
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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