型号
分离式半导体产品 SI6413DQ-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI6413DQ-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI6413DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
0
3,000:$0.93150
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO8 PWR PK
0
1:$2.38000
25:$1.83600
100:$1.66600
250:$1.49600
500:$1.29200
1,000:$1.08800
SI6413DQ-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
7.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
10 毫欧 @ 8.8A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
800mV @ 400µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
105nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
功率 - 最大:
1.05W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:
8-TSSOP
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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