FDD45AN06LA0_F085 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| FDD45AN06LA0_F085 |
Fairchild Semiconductor |
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK |
0 |
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| FDC699P_F077 |
Fairchild Semiconductor |
MOSFET P-CH 20V 7A 6-SSOT |
0 |
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FDD45AN06LA0_F085 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
60V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
25A
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
36 毫欧 @ 25A，10V
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| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
3V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
11nC @ 5V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
880pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
55W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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| 供应商设备封装: |
D-Pak
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| 包装: |
带卷 (TR)
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