型号
分离式半导体产品 SIRA00DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SIRA00DP-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO8 PWR PK
0
1:$2.38000
25:$1.83600
100:$1.66600
250:$1.49600
500:$1.29200
1,000:$1.08800
SIRA00DP-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
1 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
220nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
11700pF @ 15V
功率 - 最大:
104W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
包装:
Digi-Reel®
电子产品资料
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