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分离式半导体产品 SI4056DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4056DY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4056DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC 0 2,500:$0.33350
5,000:$0.31050
12,500:$0.29900
25,000:$0.28750
62,500:$0.28290
125,000:$0.27600
SIE848DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 0 1:$2.98000
25:$2.29520
100:$2.08250
250:$1.87000
500:$1.61500
1,000:$1.36000
SQD50N06-07L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A TO252 0 2,000:$1.72900
SI4886DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC 0 2,500:$1.71570
SI4056DY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 23 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 900pF @ 50V
功率 - 最大: 5.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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