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分离式半导体产品 SQD50N06-07L-GE3品牌、价格、PDF参数

SQD50N06-07L-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SQD50N06-07L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A TO252 0 2,000:$1.72900
SI4886DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC 0 2,500:$1.71570
SQD50N06-07L-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.6 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5570pF @ 25V
功率 - 最大: 136W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: TO-252，（D-Pak）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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