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分离式半导体产品 SIE860DF-T1-E3品牌、价格、PDF参数

SIE860DF-T1-E3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIE860DF-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 0 3,000:$1.12725
SUP90N04-3M3P-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V TO-220AB 0 1:$2.31000
25:$1.86240
100:$1.67630
250:$1.49000
500:$1.30376
1,000:$1.08025
2,500:$1.00575
5,000:$0.96850
SIE860DF-T1-E3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.1 毫欧 @ 21.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 15V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-PolarPAK?（M）
供应商设备封装: 10-PolarPAK?（M）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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