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分离式半导体产品 BSP129E6327T品牌、价格、PDF参数

BSP129E6327T • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSP129E6327T Infineon Technologies MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 0
BSP129E6327T Infineon Technologies MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 0
BSP129E6327T • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss): 240V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 350mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 6 欧姆 @ 350mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 108µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 108pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装: PG-SOT223-4
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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