型号

分离式半导体产品 RSS120N03FU6TB品牌、价格、PDF参数

RSS120N03FU6TB • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
RSS120N03FU6TB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC 0
RRS090P03TB1 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC 0
RSS120N03FU6TB • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1360pF @ 10V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装: 8-SOP
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020