型号

分离式半导体产品 RDD020N60TL品牌、价格、PDF参数

RDD020N60TL • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
RDD020N60TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 0 2,500:$0.54600
RDD020N60TL • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: -
Id 时的 Vgs(th)（最大）: -
闸电荷(Qg) @ Vgs: -
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 20W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: CPT3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020