型号
分离式半导体产品 RSS110N03FU6TB品牌、价格、PDF参数
RSS110N03FU6TB
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
RSS110N03FU6TB
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
0
2,500:$0.64540
RDD020N60TL
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
0
2,500:$0.54600
RSS110N03FU6TB
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
10.7 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
17nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1300pF @ 10V
功率 - 最大:
2W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:
8-SOP
包装:
带卷 (TR)
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