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分离式半导体产品 IPB016N06L3 G品牌、价格、PDF参数

IPB016N06L3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB016N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 0 1,000:$2.15250
IPB016N06L3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 180A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.6 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 196µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 166nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 30V
功率 - 最大: 250W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商设备封装: PG-TO263-7
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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