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分离式半导体产品 BSC084P03NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSC084P03NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSC084P03NS3 G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 0 5,000:$0.65782
10,000:$0.63062
25,000:$0.61330
50,000:$0.59352
IPD096N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 0 2,500:$0.65716
IPB34CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3 0 1,000:$0.64920
SPD07N20 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A TO252 0 2,500:$0.50946
BSC084P03NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.4 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.9V @ 105µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4785pF @ 15V
功率 - 最大: 69W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TDSON-8
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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