IPB039N10N3 G E8187 • 品牌、价格
| 元器件型号 |
厂商 |
描述 |
数量 |
价格 |
| IPB039N10N3 G E8187 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
0 |
|
| IPB039N10N3 G E8187 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 |
0 |
1,000:$2.12310
|
IPB039N10N3 G E8187 • PDF参数
| 类别: |
分离式半导体产品
|
| FET 型: |
MOSFET N 通道，金属氧化物
|
| FET 特点: |
标准
|
| 漏极至源极电压(Vdss): |
100V
|
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
160A
|
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
3.9 毫欧 @ 100A，10V
|
| Id 时的 Vgs(th)（最大）: |
3.5V @ 160µA
|
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
117nC @ 10V
|
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
8410pF @ 50V
|
| 功率 - 最大: |
214W
|
| 安装类型: |
表面贴装
|
| 封装/外壳: |
TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
|
| 供应商设备封装: |
PG-TO263-7
|
| 包装: |
剪切带 (CT)
|