分离式半导体产品 IPB019N06L3 G品牌、价格、PDF参数

IPB019N06L3 G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPB019N06L3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3	0	1:$4.19000 10:$3.77400 25:$3.42440 100:$3.07490 250:$2.79540 500:$2.44598
IPB019N06L3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3	0	1,000:$1.95678 2,000:$1.85894 5,000:$1.78207 10,000:$1.73315 25,000:$1.67724

IPB019N06L3 G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	1.9 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2.2V @ 196µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	166nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	28000pF @ 30V
功率 - 最大:	250W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装:	PG-TO263-2
包装:	剪切带 (CT)

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