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分离式半导体产品 IPB019N06L3 G品牌、价格、PDF参数

IPB019N06L3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB019N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 0 1:$4.19000
10:$3.77400
25:$3.42440
100:$3.07490
250:$2.79540
500:$2.44598
IPB019N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 0 1:$4.19000
10:$3.77400
25:$3.42440
100:$3.07490
250:$2.79540
500:$2.44598
IPB019N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 0 1,000:$1.95678
2,000:$1.85894
5,000:$1.78207
10,000:$1.73315
25,000:$1.67724
IPB019N06L3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.9 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 196µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 166nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 30V
功率 - 最大: 250W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-2
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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