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分离式半导体产品 IPD096N08N3 G品牌、价格、PDF参数

IPD096N08N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPD096N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 0 2,500:$0.65716
IPB34CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3 0 1,000:$0.64920
SPD07N20 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 7A TO252 0 2,500:$0.50946
IPD096N08N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 73A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 9.6 毫欧 @ 46A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 46µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 40V
功率 - 最大: 100W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: PG-TO252-3
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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