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分离式半导体产品 BSC084P03NS3E G品牌、价格、PDF参数

BSC084P03NS3E G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSC084P03NS3E G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 0
BSC084P03NS3E G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 14.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.4 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 110µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 57.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4240pF @ 15V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TDSON-8
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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