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分离式半导体产品 IPP65R660CFD品牌、价格、PDF参数

IPP65R660CFD • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPP65R660CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 6.0A TO220 0 10,000:$1.25736
BSC084P03NS3E G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 0
IPP65R660CFD • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 660 毫欧 @ 2.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 615pF @ 100V
功率 - 最大: 62.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: PG-TO220-3
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
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