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分离式半导体产品 SIB456DK-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIB456DK-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIB456DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S SC75-6L 0
SIHS36N50D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V D SUPER-247 50
SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S SC70-6L 0
SIB456DK-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 185 毫欧 @ 1.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 130pF @ 50V
功率 - 最大: 13W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SC-75-6L
供应商设备封装: PowerPAK? SC-75-6L 单
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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