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分离式半导体产品 IPB530N15N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB530N15N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 2,000 1:$1.92000
10:$1.64500
25:$1.48000
100:$1.34310
250:$1.20604
500:$1.04158
IPB530N15N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 21A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 53 毫欧 @ 18A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 35µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 887pF @ 75V
功率 - 最大: 68W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-2
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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