分离式半导体产品 IPB027N10N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB027N10N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB027N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 0 1,000:$3.35216
IPW50R280CE Infineon Technologies MOSF 500V 13A PG-TO247 0 1:$3.23000
25:$2.59480
100:$2.36430
250:$2.13360
500:$1.91448
1,000:$1.61462
2,500:$1.53389
5,000:$1.47046
10,000:$1.43009
IPA50R280CE Infineon Technologies MOSF 500V 13A PG-TO220FP 0 1:$2.93000
25:$2.36400
100:$2.12760
250:$1.89120
500:$1.65480
1,000:$1.37112
2,500:$1.27656
5,000:$1.22928
10,000:$1.18200
IPB027N10N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.7 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 275µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 206nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 14800pF @ 50V
功率 - 最大: 300W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-2
包装: 带卷 (TR)